BSC050N04LSGATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSC050N04LSGATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.95 |
10+ | $0.846 |
100+ | $0.6598 |
500+ | $0.545 |
1000+ | $0.4303 |
2000+ | $0.4016 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 27µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8-5 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 50A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 57W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3700 pF @ 20 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Ta), 85A (Tc) |
Grundproduktnummer | BSC050 |
BSC050N04LSGATMA1 Einzelheiten PDF [English] | BSC050N04LSGATMA1 PDF - EN.pdf |
INFINEON TDSON-8
N-CHANNEL POWER MOSFET
INFINEON TDSON-8
BSC050NE2LS Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
BSC052N03LS Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A/80A TDSON
INFINEON TDSON-8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BSC050N04LSGATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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